[发明专利]一种P型IBC单晶太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种P型IBC单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）硅基底双面抛光；

（2）双面沉积隧穿氧化层和非晶硅层，再进行高温磷扩散实现非晶硅层的掺杂和晶化，将非晶硅层转换成掺磷多晶硅层，此时硅基底的正面和背面形成有PSG层；

（3）在所述硅基底的背面涂覆一层保护膜，并对所述硅基底进行烘干和退火处理，其中，所述保护膜具有一定的图形；

（4）双面碱制绒，所述硅基底的背面涂覆有保护膜的区域不被碱液腐蚀，形成N区；所述硅基底的背面没有涂覆保护膜的区域会被碱液刻蚀掉，露出硅基底形成P区，此时所述硅基底的正面形成完整的绒面结构；

（5）双面沉积氧化铝膜；

（6）双面沉积氮化硅膜；

（7）利用激光对所述硅基底背面的P区进行图形化开膜，去除所述P区表面的氧化铝膜和氮化硅膜；

（8）在所述硅基底的背面进行丝网印刷，形成叉指状发射极，制得P型IBC单晶太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的一种P型IBC单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述保护膜不与碱溶液发生反应。

3.根据权利要求2所述的一种P型IBC单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述保护膜为Ⅲ族元素掺杂改性的氧化硅膜、氧化铝膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜的一种或多种组合。

4.根据权利要求1所述的一种P型IBC单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤（4）之后还包括HF酸清洗，用于去除所述硅基底背面的保护膜。

5.根据权利要求1所述的一种P型IBC单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述掺杂多晶硅层的厚度为100~200nm。

6.根据权利要求5所述的一种P型IBC单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述掺杂多晶硅层的掺杂浓度为3E20~5E20atoms/cm³。

7.根据权利要求1所述的一种P型IBC单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，所述硅基底正面的绒面反射率为7~10%。

8.根据权利要求1所述的一种P型IBC单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤（5）中，所述氧化铝膜的厚度为3~10nm。

9.根据权利要求1所述的一种P型IBC单晶太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤（6）中，所述氮化硅膜的厚度为70~90nm。

10.一种P型IBC单晶太阳能电池，其特征在于，采用权利要求1-9中任一项权利要求所述的制备方法所制得。