[发明专利]一种P型IBC电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202210469365.3 | 申请日： | 2022-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN115020537A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 任常瑞;张文超;董建文;符黎明 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/306;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/068 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型IBC电池及其制备方法，制备方法包括：（1）硅基底双面抛光；（2）双面沉积隧穿氧化层和非晶硅层，高温磷扩；（3）背面涂覆一层浆料，烘干和退火处理后形成一层掩膜层；（4）利用激光对背面的掩膜层进行图形化开膜，在背面形成裸露的P区和覆盖有掩膜层的N区；（5）双面碱制绒；（6）双面沉积氧化铝膜；（7）双面沉积氮化硅膜；（8）利用激光对P区进行图形化开膜；（9）丝网印刷。本发明在硅基底背面单面涂覆一层能形成掩膜层的浆料，通过激光和碱制绒相结合的方式来实现隔离硅基底背面的P区和N区，碱制绒能够减少激光开膜过程对硅基底造成的损伤，容易实现单面沉积掩膜层，且无需额外清洗，节约工序。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ibc 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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