[发明专利]一种P型IBC电池及其制备方法

权利要求书

1.一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）硅基底双面抛光；

（2）双面沉积隧穿氧化层和非晶硅层，再进行高温磷扩散实现非晶硅层的掺杂和晶化，将非晶硅层转换成掺磷多晶硅层；

（3）在所述硅基底的背面涂覆一层浆料，并对所述硅基底进行烘干和退火处理，使得所述浆料在所述硅基底的背面形成一层掩膜层；

（4）利用激光对所述硅基底背面的掩膜层进行图形化开膜，刻蚀掉所述硅基底背面部分区域的掩膜层、掺杂多晶硅层以及隧穿氧化层，在所述硅基底的背面形成裸露的P区和覆盖有掩膜层的N区；

（5）双面碱制绒，所述硅基底的背面覆盖有掩膜层的区域不被碱液腐蚀，形成N区；所述硅基底的背面没有覆盖掩膜的区域通过碱液刻蚀减少激光损伤并露出硅基底，形成P区；此时所述硅基底的正面形成完整的绒面结构；

（6）双面沉积氧化铝膜；

（7）双面沉积氮化硅膜；

（8）利用激光对所述硅基底背面的P区进行图形化开膜，去除所述P区表面的氧化铝膜和氮化硅膜；

（9）在所述硅基底的背面进行丝网印刷，形成叉指状发射极，制得P型IBC电池。

2.根据权利要求1所述的一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述掩膜层不与碱溶液发生反应。

3.根据权利要求2所述的一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，形成所述掩膜层的浆料为含有Ⅲ族元素掺杂改性的氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种组合。

4.根据权利要求1所述的一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤（5）之后还包括HF酸清洗，用于去除所述硅基底背面的掩膜层。

5.根据权利要求1所述的一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述掺磷多晶硅层的厚度为100~150nm。

6.根据权利要求5所述的一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述掺磷多晶硅层的掺杂浓度为3E20~5E20atoms/cm³。

7.根据权利要求1所述的一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤（5）中，所述硅基底正面的绒面反射率为7~10%。

8.根据权利要求1所述的一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤（6）中，所述氧化铝膜的厚度为3~10nm。

9.根据权利要求1所述的一种P型IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤（7）中，所述氮化硅膜的厚度为70~90nm。

10.一种P型IBC电池，其特征在于，采用权利要求1-9中任一项权利要求所述的制备方法所制得。