[发明专利]斜入射光纤直接耦合的大横截面光波导探测器在审
申请号: | 202210464494.3 | 申请日: | 2022-04-29 |
公开(公告)号: | CN114823940A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 余学才;李陈;郭甜;陈旭昂 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/105 |
代理公司: | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人: | 王伟 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种斜入射光纤直接耦合的大横截面光波导探测器,包括InP基底和InP基底上的覆盖层、置于覆盖层上的脊波导和两个地电极,两个地电极水平放置在覆盖层上并关于脊波导对称,脊波导从下到上依次包括波导层、收集层、耗尽层、吸收层和阻挡层,信号电极层位于脊波导的阻挡层上,波导探测器的横截面呈“凸”字型;光倾斜一定角度从波导层端面入射,最后传播到吸收层被吸收产生光电流。本发明改善了一般光波导探测器的光电流分布不均匀的问题,针对不同的波导结构,可以调整不同的入射倾角使其达到光电流均匀分布,采用斜入射式的方法,可以不再受超模匹配严苛条件的限制,调整合适的角度最终达到光电流分布均匀。 | ||
搜索关键词: | 入射 光纤 直接 耦合 横截面 波导 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的