[发明专利]斜入射光纤直接耦合的大横截面光波导探测器在审
| 申请号: | 202210464494.3 | 申请日: | 2022-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN114823940A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
| 发明(设计)人: | 余学才;李陈;郭甜;陈旭昂 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/105 |
| 代理公司: | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人: | 王伟 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 入射 光纤 直接 耦合 横截面 波导 探测器 | ||
1.斜入射光纤直接耦合的大横截面光波导探测器,其特征在于,包括InP基底和InP基底上的覆盖层、置于覆盖层上的脊波导和两个地电极,两个地电极水平放置在覆盖层上并关于脊波导对称,脊波导从下到上依次包括波导层、收集层、耗尽层、吸收层和阻挡层,信号电极层位于脊波导的阻挡层上,波导探测器的横截面呈“凸”字型;
光倾斜一定角度从波导层端面入射,最后传播到吸收层被吸收产生光电流。
2.根据权利要求1所述的斜入射光纤直接耦合的大横截面光波导探测器,其特征在于,所述脊波导的宽度为9μm,波导层的厚度为9μm,因此波导层横截面为9×9μm2,与单模光纤纤芯截面尺寸匹配;探测器的长度为200μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





