[发明专利]三维存储器、制备方法及存储系统

摘要

本申请公开了一种三维存储器、制备方法及存储系统。制备方法包括：形成包括多个堆叠层的叠层结构，其中每个堆叠层包括栅极牺牲层，将叠层结构划分为在第一方向排列的存储阵列区和台阶区，其中台阶区包括在第二方向错开设置的第一区域和第二区域，第一方向、第二方向和堆叠方向彼此垂直；去除第二区域中最上方的堆叠层的一部分，并在第二区域形成第二台阶结构，在第一区域形成在堆叠方向突出于第二台阶结构的第一台阶结构；形成贯穿叠层结构、并与第一区域错开设置的栅线间隙，经由栅线间隙去除部分栅极牺牲层以形成牺牲间隙，并在牺牲间隙内填充导电材料以形成栅极层；以及在第一区域形成与栅极层连接的字线接触。