[发明专利]三维存储器、制备方法及存储系统

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

形成包括多个堆叠层的叠层结构，其中每个所述堆叠层包括栅极牺牲层，将所述叠层结构划分为在第一方向排列的存储阵列区和台阶区，其中所述台阶区包括在第二方向错开设置的第一区域和第二区域，所述第一方向、所述第二方向和堆叠方向彼此垂直；

去除所述第二区域中最上方的堆叠层的一部分，并在所述第二区域形成第二台阶结构，在所述第一区域形成在所述堆叠方向突出于所述第二台阶结构的第一台阶结构；

形成贯穿所述叠层结构、并与所述第一区域错开设置的栅线间隙，经由所述栅线间隙去除部分所述栅极牺牲层以形成牺牲间隙，并在所述牺牲间隙内填充导电材料以形成栅极层；以及

在所述第一区域形成与所述栅极层连接的字线接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极牺牲层包括位于所述第一区域中的第一局部和位于所述第二区域中的第二局部，经由所述栅线间隙去除部分所述栅极牺牲层以形成牺牲间隙，并在所述牺牲间隙内填充导电材料以形成栅极层包括：

经由所述栅线间隙去除所述第二局部，并去除部分所述第一局部，从而形成所述牺牲间隙；

在所述牺牲间隙内填充所述导电材料以形成所述栅极层，使得所述第一台阶结构形成为第一阶梯结构，所述第二台阶结构形成为第二阶梯结构，以及剩余的所述栅极牺牲层形成为第一介质层，

其中，所述第一阶梯结构包括多个第一台阶，位于最上方的第一台阶包括所述第一介质层，其余的所述第一台阶包括在所述第一方向分布的所述栅极层和所述第一介质层；

所述第二阶梯结构包括多个第二台阶，每个所述第二台阶包括所述栅极层；以及

所述第一阶梯结构在所述堆叠方向突出于所述第二阶梯结构的高度为所述位于最上方的第一台阶的厚度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述位于最上方的第一台阶还包括位于所述第一介质层下方的第二介质层；其余的所述第一台阶还包括所述第二介质层，其中所述第二介质层位于所述栅极层和所述第一介质层的下方，在所述第一区域形成与所述栅极层连接的字线接触包括：

形成覆盖所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构的填充介质层；

在所述第一区域形成贯穿所述填充介质层、并暴露出每个所述第一台阶的所述第一介质层的初始接触孔；

经由所述初始接触孔，去除暴露的所述第一介质层以及所述第二介质层与暴露的所述第一介质层相对的部分，至暴露出下一级所述第一台阶的所述栅极层，以形成接触孔；以及

采用导电材料填充所述接触孔，以形成与所述栅极层连通的所述字线接触。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅线间隙包括第一栅线间隙、第二栅线间隙以及第三栅线间隙，形成贯穿所述叠层结构、并与所述第一区域错开设置的栅线间隙包括：

形成沿第一方向在所述存储阵列区和所述第二区域延伸的所述第一栅线间隙；

形成沿所述第一方向在所述第二区域延伸的所述第二栅线间隙；以及

形成沿所述第一方向在所述存储阵列区延伸的所述第三栅线间隙。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述方法还包括：

在所述第二区域形成沿所述第一方向延伸的墙结构；

去除部分所述墙结构，以使至少一个所述第一栅线间隙在所述第一方向延伸穿过所述墙结构；以及

采用介质材料填充至少一个所述第一栅线间隙，以形成第一加固栅线间隙结构。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述方法还包括：

去除部分所述墙结构，以在所述墙结构中形成至少一个所述第二栅线间隙；以及

采用所述介质材料填充至少一个所述第二栅线间隙，以形成第二加固栅线间隙结构。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，在形成所述栅极层之前，所述方法还包括：

在所述台阶区形成贯穿所述叠层结构的虚拟沟道结构，

其中，所述虚拟沟道结构包括第一虚拟沟道结构，所述第一虚拟沟道结构在垂直于所述堆叠方向的平面中的正投影为条形轮廓。