[发明专利]一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202210460707.5 | 申请日： | 2022-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN114937593A | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 袁旭;于国浩;王哲明;赵德胜;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 528225 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p‑GaN欧姆接触电极的制备方法，包括以下步骤：提供GaN基外延片，所述GaN基外延片的最上层为p型GaN层，对所述p型GaN层进行激活处理，得到第一GaN基外延片；在所述第一GaN基外延片的p型GaN层上刻蚀，制备出欧姆接触区域，得到第二GaN基外延片；利用热磷酸溶液对所述第二GaN基外延片进行湿法腐蚀处理，清洗后得到第三GaN基外延片；在所述第三GaN基外延片的欧姆接触区域积淀金属，并通过退火工艺对金属进行合金处理，完成p‑GaN欧姆接触电极的制备。本发明能够明显提高p‑GaN材料的欧姆接触性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 欧姆 接触 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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