[发明专利]一种自校准控制NEA GaN电子源吸收系数的方法在审
| 申请号： | 202210457340.1 | 申请日： | 2022-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN115020167A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 王晓晖;刘燕晴;张一帆 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学长三角研究院（湖州） |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12;H01J1/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州市西塞*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种自校准控制NEA GaN电子源吸收系数的方法。具体方法为：步骤1、建立温度校准模型；步骤2、测量样品的吸收系数α |
||
| 搜索关键词： | 一种 校准 控制 nea gan 电子 吸收系数 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学长三角研究院（湖州），未经电子科技大学长三角研究院（湖州）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210457340.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
