[发明专利]一种自校准控制NEA GaN电子源吸收系数的方法

权利要求书

1.一种自校准控制NEA GaN电子源吸收系数的方法，其特征包括：

步骤1、建立温度校准模型。

步骤2、测量样品的吸收系数α₀、波长λ₀和温度T₀，根据数据拟合样品参数。

步骤3、将工作入射光波长λ、目标吸收系数α及样品参数输入到预先建立完成的温度校准模型中计算输出温度T₁。

步骤4、测量T₁下的吸收系数α₁并计算偏离值S₁，若S₁小于设定值S，输出温度T＝T₁，若S₁大于S，则根据T₁，α₁继续修正样品参数，再次计算得到温度T₂，并比较偏离值S₂和S。

根据如上步骤校准温度，直至S_n小于S，输出对应α的最佳温度T，实现通过温度来实时控制吸收系数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：如式(1)建立一个温度校准模型

其中，f,b,d,p,w为样品相关参数，λ为波长，α为目标吸收系数，T为温度，h为普朗克常数，c为光速。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述吸收系数α₀、波长λ₀和温度T₀为m组测量数据，通过所述m组测量数据拟合样品参数f,b,d,p,w。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述工作入射光波长λ为系统设定的工作波长值；目标吸收系数α为实际工作需要的吸光度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：偏离值S_n为实际工作中α_n与α的误差，S可以据实际需求的精确程度设定。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述偏离值S_n的表达式如式(2)所示：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在修正样品参数过程中，测量T_n±1K范围内m组温度与吸收系数。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：针对温度校准模型，若一次不能得到最佳温度，则按所述模型多次计算并修正样品参数，直至偏离值S_n小于S，输出对应α的最佳温度T。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：本方法可以实时在线地对工作中的NEAGaN电子源的吸收系数进行精确控制。

10.一种自校准控制NEA GaN电子源吸收系数的方法，其特征在于以上测量和校准过程均由计算机软硬件自动进行，只需要输入目标吸收系数α和偏离度设定值S即可。