[发明专利]一种用于硅片腐蚀的循环槽有效
| 申请号： | 202210424129.X | 申请日： | 2022-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN114540960B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 管选伟;孙国浩 | 申请（专利权）人： | 江苏英思特半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 刘云艳 |
| 地址： | 226500 江苏省南通市如皋*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于硅片腐蚀的循环槽，其结构包括槽体，其创新点在于：槽体的左右两侧分别设有加液槽、循环流通槽，加液槽的宽度等于循环流通槽的宽度，加液槽和循环流通槽之间形成为浸液槽，加液槽和浸液槽的连接处设有出液板，出液板从上到下均匀分布有若干漏液孔，循环流通槽和浸液槽的连接处设有液位校准板，液位校准板的高度低于出液板，加液槽和循环流通槽之间相互连通且设有循环泵，浸液槽的底部设有出液管道，浸液槽和加液槽之间设有液位差检测件，液位差检测件用于判断浸液槽和加液槽之间的液位差，本发明保证了硅片持续浸渍的腐蚀效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 硅片 腐蚀 循环 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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