[发明专利]高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202210423574.4 | 申请日： | 2022-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN115621297A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 朴永焕;全祐彻;金钟燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 程丹辰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高电子迁移率晶体管包括：沟道层；势垒层，在沟道层上并具有比沟道层的能带隙大的能带隙；在势垒层上的栅极结构；源电极和漏电极，在势垒层上彼此间隔开且栅极结构在其之间；场板，电连接到源电极并在栅极结构之上延伸；以及与势垒层和漏电极接触的场分散层。场分散层可以朝栅极结构延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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