[发明专利]高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，包括：

沟道层；

势垒层，在所述沟道层上并具有比所述沟道层的能带隙大的能带隙；

栅极结构，在所述势垒层上；

源电极和漏电极，在所述势垒层上彼此间隔开且所述栅极结构在其之间；

场板，电连接到所述源电极并在所述栅极结构之上延伸；以及

场分散层，与所述势垒层和所述漏电极接触，所述场分散层朝所述栅极结构延伸。

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，

其中所述势垒层的部分区域不与所述场分散层重叠。

3.根据权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，

其中所述势垒层的所述部分区域在所述栅极结构和所述漏电极之间。

4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，

其中所述场板和所述场分散层之间在所述沟道层的宽度方向上的间隔小于所述栅极结构和所述漏电极之间在所述宽度方向上的间隔。

5.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，

其中所述场分散层的一部分在所述沟道层的厚度方向上与所述场板重叠。

6.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，

其中所述场分散层的主体材料包括与所述势垒层相同的材料。

7.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，

其中所述场分散层包括p型掺杂半导体材料。

8.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，

其中所述场分散层包括多个第一场分散层，所述多个第一场分散层在与所述沟道层的宽度方向交叉的方向上彼此分开布置。

9.根据权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，

其中所述多个第一场分散层在与所述沟道层的所述宽度方向垂直的方向上彼此分开布置。

10.根据权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，

其中所述多个第一场分散层中的至少一个与所述漏电极接触。

11.根据权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，

其中所述多个第一场分散层中的至少一个与所述栅极结构接触。

12.根据权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中

所述场分散层还包括第二场分散层，

所述第二场分散层的一端与所述多个第一场分散层接触，以及

所述第二场分散层的另一端与所述漏电极接触。

13.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，

其中所述场分散层包括网状结构。

14.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，

其中所述场分散层的厚度小于所述势垒层的厚度。

15.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，

其中所述栅极结构包括在所述势垒层上依次布置的栅电极、第一半导体层和第二半导体层。

16.根据权利要求15所述的高电子迁移率晶体管，

其中所述第一半导体层中的至少一种材料不同于所述第二半导体层中的至少一种材料。

17.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，还包括：

在所述势垒层和所述栅极结构之间的蚀刻停止层，其中

所述蚀刻停止层在所述势垒层和所述场分散层之间。