[发明专利]一种快速自如沉积或刻蚀原子层的方法及腔室构造在审
| 申请号： | 202210423572.5 | 申请日： | 2022-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN114864370A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;唐继远;张洪国;张海飞;李正磊;房岩;王浩增;徐道涵;卓永生 | 申请（专利权）人： | 江苏鹏举半导体设备技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/316;H01L21/311;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 南通云创慧泉专利代理事务所(普通合伙) 32585 | 代理人： | 邵永永 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市开*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于原子层技术领域，提供了一种快速自如沉积或刻蚀原子层的方法及腔室构造，包括圆盘腔室，所述圆盘腔室内设有呈圆环状等距排列的若干个源反应腔室，所述源反应腔室外部为传输腔；所述圆盘腔室中部设有至少一个绕圆盘腔室圆心转动的基片传动装置；所述圆盘腔室的顶部设有传输腔吹扫系统，本发明通过载基片传动装置的旋转往复运动，进行沉积或刻蚀反应，在保证沉积或刻蚀效果的同时，提高沉积或刻蚀速率，可以根据沉积或刻蚀材料的种类，通过设置不同的腔体数量和运行程序，实现多种材料的自动化、智能化沉积或刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 自如 沉积 刻蚀 原子 方法 构造 | ||
【主权项】：
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