[发明专利]一种快速自如沉积或刻蚀原子层的方法及腔室构造

权利要求书

1.一种快速自如沉积或刻蚀原子层的腔室构造，其特征在于，包括圆盘腔室(1)，所述圆盘腔室(1)内设有呈圆环状排列的若干个源反应腔室(2)，所述源反应腔室(2)外部为传输腔(3)；

所述圆盘腔室(1)中部设有至少一个绕圆盘腔室(1)圆心转动的基片传动装置(4)；

所述圆盘腔室(1)的顶部设有传输腔吹扫系统(5)。

2.根据权利要求1所述的一种快速自如沉积或刻蚀原子层的腔室构造，其特征在于，所述源反应腔室(2)内设有绕源反应腔室(2)内壁设置的圆环状源出气管(7)，所述源反应腔室(2)远离圆盘腔室(1)圆心的一端连接有源进气管(6)，所述源进气管(6)与源出气管(7)相通。

3.根据权利要求2所述的一种快速自如沉积或刻蚀原子层的腔室构造，其特征在于，所述源反应腔室(2)靠近圆盘腔室(1)圆心的一端设有吹扫风刀(8)，所述吹扫风刀(8)的下方设有阀门(9)。

4.根据权利要求2或3所述的一种快速自如沉积或刻蚀原子层的腔室构造，其特征在于，所述源出气管(7)上面设有单排或双排源出气孔(71)。

5.根据权利要求2或3所述的一种快速自如沉积或刻蚀原子层的腔室构造，其特征在于，所述吹扫风刀(8)上设有双排或多排风刀气孔(81)。

6.根据权利要求1所述的一种快速自如沉积或刻蚀原子层的腔室构造，其特征在于，所述基片传动装置(4)包括第一传动轴(41)、第二传动轴(42)、第一传动臂(43)、第二传动臂(44)和基片托盘(45)，所述第一传动轴(41)固定安装在圆盘腔室(1)圆心位置，所述第一传动臂(43)与第一传动轴(41)绕圆盘腔室(1)圆心转动连接，所述第二传动轴(42)固定安装在第一传动臂(43)远离圆盘腔室(1)圆心的一端，所述第二传动臂(43)通过第二传动轴(42)与第一传动臂(43)转动连接。

7.根据权利要求6所述的一种快速自如沉积或刻蚀原子层的腔室构造，其特征在于，所述第一传动臂(43)与第二传动臂(44)的长度之和为圆盘腔室(1)圆心到源反应腔室(2)圆心的距离。

8.根据权利要求1所述的一种快速自如沉积或刻蚀原子层的腔室构造，其特征在于，所述传输腔吹扫系统(5)与圆盘腔室(1)接触处的部分设有若干个排气孔(51)，所述每个源反应腔室(2)和传输腔(3)底部均分别连通有一个真空泵(10)。

9.一种快速自如沉积或刻蚀原子层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S101表面吸附改性，转动基片传动装置(4)将基片托盘(45)送入第一源反应腔室(21)，通过前驱体蒸汽吸附在刻蚀表面形成化学吸附层；

S102过量反应物排出，基片托盘(45)离开第一源反应腔室(21)时，启动第一源反应腔室(21)内的真空泵(10)将第一源反应腔室(21)内的过量反应物排出；

S103传输腔吹扫，基片托盘(45)离开第一源反应腔室(21)进入传输腔(3)，在传输腔吹扫系统(5)的吹扫下做表面清洁后基片托盘(45)进入第二源反应腔室(22)；

S104表面去除，通过第二源反应腔室(22)内的前驱体，表面化学吸附层转化为挥发性刻蚀物；

S105挥发性反应产物排出，基片托盘(45)离开第二源反应腔室(22)时，启动启动第二源反应腔室(22)内的真空泵(10)将第二源反应腔室(22)内挥发性反应产物排出；

往复上述S101-S105步骤，直至沉积厚度或刻蚀深度达到预设值。

10.根据权利要求9所述的一种快速自如沉积或刻蚀原子层的方法，其特征在于，所述基片传动装置(4)的运动速率和循环次数由计算机程序设定。