[发明专利]多孔晶圆、多孔构件及制备方法在审
| 申请号： | 202210415878.6 | 申请日： | 2022-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN114759132A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 王帅;卢敬权;任俊杰 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/00;H01L33/54 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李慧慧 |
| 地址： | 523000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶圆制备技术领域，具体公开一种多孔晶圆、多孔构件及制备方法，所述多孔晶圆依次设有刻蚀制孔层、刻蚀停止层和衬底，其中，所述刻蚀制孔层设有若干填充孔，所述刻蚀制孔层包括密度控制层和位于所述密度控制层靠近所述衬底一侧的直径控制层；所述密度控制层用于控制所述填充孔的密度，所述直径控制层用于控制所述填充孔的孔底端的直径。本发明提供一种多孔晶圆，能独立地对填充孔的密度和直径两个参数进行控制，以便提高色转换效果。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 构件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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