[发明专利]多孔晶圆、多孔构件及制备方法

说明书

本发明涉及晶圆制备技术领域，具体公开一种多孔晶圆、多孔构件及制备方法，所述多孔晶圆依次设有刻蚀制孔层、刻蚀停止层和衬底，其中，所述刻蚀制孔层设有若干填充孔，所述刻蚀制孔层包括密度控制层和位于所述密度控制层靠近所述衬底一侧的直径控制层；所述密度控制层用于控制所述填充孔的密度，所述直径控制层用于控制所述填充孔的孔底端的直径。本发明提供一种多孔晶圆，能独立地对填充孔的密度和直径两个参数进行控制，以便提高色转换效果。

技术领域

本发明涉及晶圆制备技术领域，尤其涉及一种多孔晶圆、多孔构件及制备方法。

背景技术

由于LED芯片具有较好的节能效果和较高的亮度，近年来，LED芯片成为最受重视的光源技术，被广泛应用于生产、生活的各个行业。

现有技术中，LED芯片通常由氮化镓制成，使用氮化镓制成的LED芯片只能发出蓝光和绿光，而不能发出其它颜色的光，比如红光，不能满足应用需要。因此，在将LED芯片应用于诸如显示屏等显示领域时，需要AlInGaP(铝铟镓磷化物)四元系统的红光芯片配合，才能显示全彩画面。

但在小间距或微间距LED显示中，生产良率低的红光芯片的成本高昂，且芯片难以进一步缩小，故提出了采用量子点进行光色转换来实现发出红光的替代方案。

现有技术中，需要将晶圆设计为多孔结构，然后将红光量子点以浸绩的方式注入多孔结构中。

具体地，可以通过蚀刻工艺在晶圆上制作若干填充孔，然后将红光量子点注入填充孔中。进行蚀刻时，若晶圆表面的掺杂浓度低，则填充孔的密度会较低、直径较大；反之，若晶圆表面的掺杂浓度高，填充孔的密度较大，直径较小。多孔结构的孔密度及直径就决定了量子点填充质量，进而决定了色转换的效果。

即，在现有技术中，填充孔的密度和直径往往是相互关联的，没有办法进行独立控制，这不利于量子点填充质量的控制，色转换效果较差。

因此，需要对现有晶圆进行改进，以解决其填充孔的密度和直径无法独立控制的问题。

本背景部分中公开的以上信息仅被包括用于增强本公开内容的背景的理解，且因此可包含不形成对于本领域普通技术人员而言在当前已经知晓的现有技术的信息。

发明内容

本发明的一个目的在于，提供一种多孔晶圆、多孔构件及制备方法，能独立地对填充孔的密度和直径两个参数进行控制，以便提高色转换效果。

为达以上目的，第一方面，本发明提供一种多孔晶圆，设有刻蚀制孔层和衬底，其中，所述刻蚀制孔层设有若干填充孔，

所述刻蚀制孔层包括密度控制层和位于所述密度控制层靠近所述衬底一侧的直径控制层；

所述密度控制层用于控制所述填充孔的密度，所述直径控制层用于控制所述填充孔的孔底端的直径。

可选的，所述密度控制层设有若干密度控制孔，所述直径控制层设有若干直径控制孔，所述密度控制孔和所述直径控制孔一一对应，每一所述密度控制孔均与相对应的所述直径控制孔连通。

可选的，

所述密度控制层和直径控制层二者的掺杂浓度不同，使得所述密度控制孔和所述直径控制孔二者的直径不同。

可选的，所述密度控制层和直径控制层二者均为n型氮化镓层，所述掺杂浓度包括Si的掺杂浓度。

可选的，所述密度控制层的厚度小于所述直径控制层的厚度。

可选的，所述刻蚀制孔层和所述衬底之间设有刻蚀停止层。

可选的，所述衬底和所述刻蚀停止层之间设有缓冲层。

第二方面，提供一种多孔晶圆制备方法，用于制备任一所述的多孔晶圆，其包括：

提供衬底；