[发明专利]一种基于氮化铝镓材料的发光二极管外延结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202210409685.X | 申请日： | 2022-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN114497307B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 廖翊韬 | 申请（专利权）人： | 徐州立羽高科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人： | 刘泽正 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市高新技术产业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于氮化铝镓材料的发光二极管外延结构及其制造方法，本发明针对基于隧穿效应的紫外发光二极管进行光提取结构优化处理。采用n‑p‑n型隧穿结构的紫外发光二极管非常有效的规避了传统p型氮化镓在紫外二极管的pn结构中对紫外光的吸收，即，采用n型氮化铝镓（其铝组分足够高，使得其能带带宽对来自有源层的紫外光基本透光）和一层非常薄的n型或者非掺杂氮化镓（5纳米及以下），以及一层p型氮化铝镓（其铝组分足够高，使得其能带带宽对来自有源层的紫外光基本透光）的基于隧穿效应的载子注入结构。采用此结构的紫外发光二极管，需结合新型光提取结构和技术，才能将传统紫外发光二极管中被吸收的紫外光，有效的从p面提取出来。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 材料 发光二极管 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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