[发明专利]一种硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射加固工艺在审
| 申请号： | 202210398920.8 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN114944335A | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 吕贺;梅博;安兆嵬;孙毅;王乾元;曹爽;莫日根;李鹏伟;于庆奎;张洪伟;赵玉玲;张礼;杨剑群 | 申请（专利权）人： | 中国空间技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/26 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 茹阿昌 |
| 地址： | 100194 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射加固工艺，包括：选择合适掺杂浓度的硅外延片，通过四次氧化工艺，基区、发射区的光刻和杂质注入，重金属掺杂，合金化，钝化，刻蚀等工艺流程，可以制作出一种硅基PNP晶体管。本发明能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态影响，可以大大增强双极器件的抗总剂量辐照性能，能有效提高硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pnp 晶体管 电离 剂量 辐射 加固 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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