[发明专利]无定型硅层的制造方法在审
| 申请号： | 202210394294.5 | 申请日： | 2022-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN114899084A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 相广欣;魏想 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种无定型硅层的制造方法包括如下步骤：步骤一、采用PECVD工艺在前层结构上形成二氧化硅层；步骤二、对二氧化硅层的表面做等离子体热处理使二氧化硅层的悬挂H键的H释放并对H释放后的悬挂键进行钝化；步骤三、采用CVD沉积工艺在二氧化硅层表面形成无定型硅层。本发明能提高无定型硅层和底部二氧化硅层之间的粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 定型 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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