[发明专利]无定型硅层的制造方法

权利要求书

1.一种无定型硅层的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供形成有前层结构的半导体衬底，采用PECVD工艺在所述前层结构上形成二氧化硅层；PECVD工艺使所述二氧化硅层的表面具有悬挂H键；

步骤二、对所述二氧化硅层的表面做等离子体热处理，采用所述等离子体热处理使所述二氧化硅层的所述悬挂H键的H释放并对H释放后的悬挂键进行钝化；

步骤三、采用CVD沉积工艺在所述二氧化硅层表面形成无定型硅层，利用所述二氧化硅层表面的H被去除且悬挂键被钝化的特征，防止所述无定型硅层沉积过程中的H扩散到所述二氧化硅层表面并和所述二氧化硅层表面的H结合形成氢气，从而提高所述无定型硅层和所述二氧化硅层的粘附性。

2.如权利要求1所述的无定型硅层的制造方法，其特征在于：所述二氧化硅层作为所述无定型硅层的刻蚀停止层。

3.如权利要求2所述的无定型硅层的制造方法，其特征在于：所述无定型硅层作为心轴层。

4.如权利要求1所述的无定型硅层的制造方法，其特征在于：步骤一中，所述二氧化硅层的PECVD工艺中的硅源采用硅烷，所述二氧化硅层为PEOX；

或者，所述二氧化硅层的PECVD工艺中的硅源采用TEOS，所述二氧化硅层为PETEOS。

5.如权利要求1所述的无定型硅层的制造方法，其特征在于：步骤二中，所述等离子体热处理的工艺气体包括一氧化二氮。

6.如权利要求1所述的无定型硅层的制造方法，其特征在于：所述等离子体热处理的工艺条件包括：

真空压强为1torr～5torr，氮气流量为1000sccm～10000sccm，一氧化二氮的流量为100sccm～1000sccm，温度为350℃～400℃，高频射频功率为100瓦特～1000瓦特，低频射频功率为50瓦特～200瓦特，时间为2秒～10秒。

7.如权利要求1所述的无定型硅层的制造方法，其特征在于：步骤三中，各所述无定型硅层的硅源采用硅烷，通过硅烷分解形成所述无定型硅层。

8.如权利要求3所述的无定型硅层的制造方法，其特征在于：还包括：

以所述二氧化硅层为停止层对所述无定型硅进行图形化刻蚀形成心轴层图形；

在所述心轴层图形的侧面形成侧墙；

去除所述心轴层图形并形成所述侧墙的图形结构。

9.如权利要求8所述的无定型硅层的制造方法，其特征在于：在所述半导体衬底上的前层结构包括用于图形化的目标层；所述侧墙的图形结构形成之后，以所述侧墙的图形结构为掩膜进行刻蚀将图形结构转移到所述目标层。

10.如权利要求9所述的无定型硅层的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

11.如权利要求8所述的无定型硅层的制造方法，其特征在于：所述侧墙的材料包括氮化硅或金属氮化物。

12.如权利要求8所述的无定型硅层的制造方法，其特征在于：所述侧墙的材料采用原子层沉积工艺形成。

13.如权利要求9所述的无定型硅层的制造方法，其特征在于：所述目标层的图形包括鳍体、栅极结构或导线。