[发明专利]面向MEMS矢量水听器的十字梁敏感结构后CMOS释放方法在审
| 申请号： | 202210392926.4 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN114852953A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 王任鑫;张文栋;谭皓宇;刘国昌;李皓璇;张国军;杨玉华;何常德;崔建功 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;G01H3/00 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 侯小幸 |
| 地址： | 030051*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种面向MEMS矢量水听器的十字梁敏感结构后CMOS释放方法，涉及半导体领域，尤其涉及氮化硅的侧墙保护和硅的各向异性腐蚀释放敏感结构。该方法利用在标准CMOS工艺中形成的氮化硅钝化层，作为后续步骤的刻蚀掩膜；深硅刻蚀，台阶高度为敏感结构厚度；等离子增强化学气相淀积一层氮化硅，刻蚀台阶侧壁形成氮化硅侧墙；反应离子刻蚀氮化硅；深硅刻蚀，刻蚀出腐蚀台阶；TMAH溶液腐蚀直到结构释放。本发明的工艺步骤简单、成本较低、可批量化生产。本发明的工艺能兼容CMOS工艺，能够实现MEMS矢量水听器的片上CMOS集成；该方法不仅保证了结构尺寸的精准性，而且提高了批量生产能力。 | ||
| 搜索关键词： | 面向 mems 矢量 水听器 十字 敏感 结构 cmos 释放 方法 | ||
【主权项】：
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