[发明专利]面向MEMS矢量水听器的十字梁敏感结构后CMOS释放方法

权利要求书

1.一种面向MEMS矢量水听器的十字梁敏感结构后CMOS释放方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤（1）对CMOS芯片进行有机清洗去除表面杂质；

步骤（2）深硅刻蚀衬底硅，氮化硅钝化层作为掩膜；

步骤（3）等离子增强化学气相淀积氮化硅，在台阶侧壁形成氮化硅侧墙；

步骤（4）反应离子刻蚀氮化硅，过刻，保留氮化硅侧墙，露出步骤（2）中刻蚀台阶的底面硅；

步骤（5）深硅刻蚀，刻蚀出腐蚀面；

步骤（6）TMAH各向异性腐蚀，在台阶底面形成“金字塔”坑，在台阶侧面形成V型槽，当敏感结构梁两侧的腐蚀角相交时，梁的释放完成。

2.根据权利要求1所述的一种面向MEMS矢量水听器的十字梁敏感结构后CMOS释放方法，其特征在于：所述步骤（1）中，CMOS芯片指的是CMOS集成的MEMS矢量水听器芯片的晶向100，P型衬底，表面MEMS区的氮化硅钝化层已经在CMOS工艺中图形化。

3.根据权利要求1所述的一种面向MEMS矢量水听器的十字梁敏感结构后CMOS释放方法，其特征在于：所述步骤（2）中，深硅刻蚀深度为敏感结构梁的厚度，刻蚀气体为C₄F₈、SF₆、Ar、O₂。

4.根据权利要求1所述的一种面向MEMS矢量水听器的十字梁敏感结构后CMOS释放方法，其特征在于：所述步骤（3）中，等离子增强化学气相淀积氮化硅的厚度为200nm，工艺参数为功率350W，温度300℃，压强4Pa。

5.根据权利要求1所述的一种面向MEMS矢量水听器的十字梁敏感结构后CMOS释放方法，其特征在于：所述步骤（4）中，反应离子刻蚀氮化硅200nm，刻蚀气体为CF₄和O₂。

6.根据权利要求1所述的一种面向MEMS矢量水听器的十字梁敏感结构后CMOS释放方法，其特征在于：所述步骤（5）中，深硅刻蚀深度为腐蚀台阶高度，深硅刻蚀深度与敏感结构梁满足：刻蚀深度≥梁的宽度×tan54.74°的关系式，刻蚀气体为C₄F₈、SF₆、Ar、O₂。

7.根据权利要求1所述的一种面向MEMS矢量水听器的十字梁敏感结构后CMOS释放方法，其特征在于：所述步骤（6）中， TMAH溶液浓度为25%，腐蚀温度为80℃。