[发明专利]一种增强型GaN功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210384867.6 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114843341A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 武乐可;夏远洋;范晓成;李亦衡;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 杜阳阳 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型GaN功率器件及其制备方法，涉及增强型GaN制备领域，该器件包括：由下至上依次设置的衬底、Buffer层、AlGaN层、P‑GaN层、LPCVD‑SiN层和PECVD‑SiN层；在器件的栅极区域的LPCVD‑SiN层和PECVD‑SiN层刻蚀有栅极凹槽；栅极凹槽内设置栅极电极；在器件的源极区域的LPCVD‑SiN层、PECVD‑SiN层、P‑GaN层和AlGaN层刻蚀有源极凹槽；源极凹槽内设置源极电极；在器件的漏极区域的LPCVD‑SiN层、PECVD‑SiN层、P‑GaN和AlGaN层刻蚀有漏极凹槽；漏极凹槽内设置漏极电极。本发明能够实现一种工艺简单、成本低的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 gan 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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