[发明专利]一种促进金属有机框架涂层原位生长的基底修饰方法在审

专利信息
申请号: 202210357009.2 申请日: 2022-04-06
公开(公告)号: CN116921188A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 郑娟;陈鹭义;欧阳钢锋 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: B05D7/20 分类号: B05D7/20;B05D7/24;C08G83/00;C09D187/00;B01J20/26;B01J20/30
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 赵崇杨
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供了一种促进金属有机框架涂层原位生长的基底修饰方法。首先对基底表面依次进行活化、巯基化、双键化后,再通过双键接枝聚4‑乙烯吡啶。本发明通过对基底表面进行活化、巯基化、双键化后,其双键可与4‑乙烯基吡啶上的双键进行自由基聚合反应,有利于聚4‑乙烯吡啶在基底表面的均匀修饰;聚4‑乙烯吡啶能在不加入添加剂的前提下有效锚定金属离子,为基底表面原位生长出连续、均匀的金属有机框架涂层创造必要条件,实现了金属有机框架材料与基底的有效结合,提高了器件对同分异构体的吸附和分离性能。
搜索关键词: 一种 促进 金属 有机 框架 涂层 原位 生长 基底 修饰 方法
【主权项】:
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