[发明专利]包括具有杂质区域的栅电极的FinFET和半导体器件在审
| 申请号： | 202210350080.8 | 申请日： | 2022-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN115692499A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 尹荣广 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施方式提供了一种包括具有杂质区域的栅电极的FinFET和半导体器件。FinFET可以包括：从衬底突出的鳍型有源区域，该鳍型有源区域在第一方向上延伸；在鳍型有源区域之间的衬底的表面上的场绝缘层；以及栅极结构，设置在在鳍型有源区域的表面和场绝缘层的表面上，栅极结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。栅极结构中的每个可以包括共形地设置在鳍型有源区域的表面上的栅介电层和在栅介电层上的栅电极。栅电极可以包括接近场绝缘层的低浓度杂质区域和接近鳍型有源区域的上部的高浓度杂质区域。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 杂质 区域 电极 finfet 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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