[发明专利]包括具有杂质区域的栅电极的FinFET和半导体器件

权利要求书

1.一种FinFET，包括：

从衬底突出的鳍型有源区域，所述鳍型有源区域在第一方向上延伸；

在所述鳍型有源区域之间的所述衬底的表面上的场绝缘层；以及

栅极结构，设置在所述鳍型有源区域的表面和所述场绝缘层的表面上，所述栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，

其中，所述栅极结构中的每个包括栅介电层和在所述栅介电层上的栅电极，所述栅介电层共形地设置在所述鳍型有源区域的所述表面上，

其中，所述栅电极包括：

接近所述场绝缘层的低浓度杂质区域；以及

接近所述鳍型有源区域的上部的高浓度杂质区域。

2.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述高浓度杂质区域中的每个包括具有宽的宽度的上部和具有窄的宽度的下部。

3.根据权利要求1所述的FinFET，

其中，所述高浓度杂质区域中的每个包括非晶化离子和掺杂剂离子，以及

其中，包括所述掺杂剂离子的区域比包括所述非晶化离子的区域宽。

4.根据权利要求3所述的FinFET，其中，所述非晶化离子包括氮、锗、碳、氩、氙、氟、镧和铝中的至少之一。

5.根据权利要求3所述的FinFET，其中，所述掺杂剂离子包括硼、磷和砷中的至少之一。

6.根据权利要求1所述的FinFET，

其中，所述高浓度杂质区域彼此连接。

7.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述栅电极还包括在所述高浓度杂质区域和所述低浓度杂质区域之间的中浓度杂质区域。

8.根据权利要求7所述的FinFET，其中，所述高浓度杂质区域彼此间隔，以及所述中浓度杂质区域彼此连接。

9.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述栅极结构中的每个还包括在所述鳍型有源区域和所述栅介电层之间的界面绝缘层。

10.根据权利要求9所述的FinFET，其中，所述界面绝缘层包括硅氧化物。

11.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述栅介电层包括金属氧化物。

12.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述栅极结构中的每个包括在所述栅介电层和所述栅电极之间的阻挡层。

13.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述栅极结构中的每个还包括在所述高浓度杂质区域之上的硅化物层。

14.一种FinFET，包括：

从衬底的表面突出的鳍型有源区域，所述鳍型有源区域在第一方向上延伸；

在所述鳍型有源区域之间的所述衬底的表面上的场绝缘层；以及

栅极结构，设置在所述鳍型有源区域的表面和所述场绝缘层的表面上，所述栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，

其中：

所述栅极结构中的每个包括栅介电层和在所述栅介电层上的栅电极，所述栅介电层共形地设置在所述鳍型有源区域的表面上，

所述栅电极包括非晶化离子和掺杂剂离子，以及

所述掺杂剂离子具有从所述鳍型有源区域的上部在径向上逐渐减小的浓度分布。

15.根据权利要求14所述的FinFET，其中，所述非晶化离子具有从所述鳍型有源区域的上部在径向上逐渐减小的浓度分布。

16.根据权利要求14所述的FinFET，其中，所述非晶化离子包括氮、锗、碳、氩、氙、氟、镧和铝中的至少之一。