[发明专利]硅光子集成发射器芯片在审
| 申请号： | 202210345646.8 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114706162A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 卢静;刘睿强;李庆;黄伟;罗先慧;张鑫 | 申请（专利权）人： | 重庆电子工程职业学院;浙江光特科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/125;G02B6/13 |
| 代理公司： | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人： | 赵玉乾 |
| 地址： | 401331 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅光子与光电子集成领域，具体公开了一种硅光子集成发射器芯片，包括硅基底，所述硅基底上设置有DFB激光器、光波导、第一金属电极和第二金属电极，所述DFB激光器被倒置安装在所述硅基底的上端面的左上方，所述光波导与DFB激光器的发射端相连；所述第一金属电极设置在所述光波导一侧且远离DFB激光器的一侧上，所述第二金属电极设置在光波导的另一侧。本方案能够克服调制过程中带来的额外信号噪声，提高信号传输质量和速度。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 集成 发射器 芯片 | ||
【主权项】：
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