[发明专利]硅光子集成发射器芯片

权利要求书

1.硅光子集成发射器芯片，其特征在于：包括硅基底，所述硅基底上设置有DFB激光器、光波导、第一金属电极和第二金属电极，所述DFB激光器被倒置安装在所述硅基底的上端面的左上方，所述光波导与DFB激光器的发射端相连；所述第一金属电极和第二金属电极分别设置在所述光波导的两侧。

2.根据权利要求1所述的硅光子集成发射器芯片，其特征在于：还包括第一Y分支光波导，所述第一Y分支光波导包括入射光波导以及与所述入射光波导相连接的第一Y分支光波导左臂和第一Y分支光波导右臂，所述入射光波导、第一Y分支光波导左臂以及第一Y分支光波导右臂的两侧上均分别设置有第一金属电极和第二金属电极。

3.根据权利要求2所述的硅光子集成发射器芯片，其特征在于：所述第一Y分支光波导左臂两侧的第一金属电极和第二金属电极与所述第一Y分支光波导右臂两侧的第一金属电极和第二金属电极错开设置。