[发明专利]一种纳米片层叶蜡石粉体及其制备方法有效
| 申请号： | 202210331365.7 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114620739B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 吴小贤;李春生;吕双双 | 申请（专利权）人： | 浙江省地质院 |
| 主分类号： | C01B33/40 | 分类号： | C01B33/40;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 310008 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米片层叶蜡石粉体及其制备方法，以叶蜡石原矿为主要原料，通过中低温脱结构水然后再进行饱和吸附高温可膨胀溶液，再经过快速冷冻使部分叶蜡石片层涨裂，然后再进行200℃‑700℃范围的快速热处理，使叶蜡石中吸附的水快速汽化及可膨胀溶剂快速膨胀及分解产生大量气体使叶蜡石片层结构产生膨胀涨裂，从而形成纳米片层叶蜡石。为更好的获得均匀纳米片层叶蜡石粉体，膨胀后的叶蜡石原料辅助借用超声或球磨机进行分离剥片处理，得到的纳米片层厚度在50纳米‑500纳米左右。本发明制备的纳米片层叶蜡石粉体具有比表面积大、活性好等热点，可以在涂料、塑料、催化剂行业广泛使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 片层叶蜡石粉体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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