[发明专利]一种纳米片层叶蜡石粉体及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米片层叶蜡石粉体制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤1：将叶蜡石原料破碎到1mm以下粒度，然后在600℃～700℃温度下煅烧0.5～2小时，使叶蜡石结构中部分结构水脱除同时使叶蜡石原结构中产生部分孔隙；

步骤2：在煅烧后的叶腊石原料粉体中加入高温可膨胀溶液，并将高温可膨胀溶液与叶蜡石原料粉体混合均匀，高温可膨胀溶液加入量与煅烧后的叶腊石原料粉体的质量比为5％～20％；所述高温可膨胀溶液由尿素、二甲基亚砜、淀粉、蔗糖、乙二醇或丙三醇中的一种或多种按任意配比混合；

步骤3：将步骤2混合均匀的叶蜡石原料粉体放入可抽真空容器中抽真空30分钟，使吸附在叶蜡石表面的高温可膨胀溶液吸附进入叶蜡石层间及内部孔隙中；然后将抽真空后的叶蜡石原料在容器中陈化使其达到充分饱和吸附；

步骤4：将饱和吸附高温可膨胀溶液的叶蜡石原料粉体用液氮冷冻，利用可膨胀溶液中的水分急速冷冻产生瞬间体积膨胀，促使部分叶蜡石片层结构产生膨胀松动或剥落；

步骤5：将冷冻处理的叶蜡石原料粉体快速加入到炉温在200℃～500℃热处理炉中膨胀处理，使叶蜡石片层结构中水分快速汽化脱除，使高温可膨胀物质膨胀分解，从而使得叶蜡石片层结构膨胀，得到纳米片层叶蜡石粉体；

步骤6：经过步骤1～5处理后得到的叶蜡石粉体中部分片层结构处于亚微米及纳米尺度厚度，部分片层产生滑移、错位连接或团聚在一起，为使纳米片层充分剥离分散，采用机械球磨或超声分散处理，从而更好的获得片层均匀的纳米粉体。

2.根据权利要求1所述的一种纳米片层叶蜡石粉体制备方法，其特征在于，所述高温可膨胀溶液优化的加入量区间为10％～15％。

3.根据权利要求1所述的一种纳米片层叶蜡石粉体制备方法，其特征在于，步骤2中通过机械搅拌的方法将高温可膨胀溶液与叶蜡石原料粉体混合均匀。

4.根据权利要求1所述的一种纳米片层叶蜡石粉体制备方法，其特征在于，所述冷冻处理的叶蜡石原料粉体快速加入到炉温在200℃～500℃热处理炉中膨胀处理，热处理时间在1～30分钟。

5.一种基于权利要求1-4任一项制备方法制备的纳米片层叶蜡石粉体，其特征在于，该纳米片层叶蜡石粉体的片层厚度在50～500纳米。