[发明专利]半导体晶片冷却方法和系统在审

专利信息
申请号: 202210319464.3 申请日: 2022-03-29
公开(公告)号: CN114815516A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 李永尧;胡政纲;彭瑞君;刘旭水 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 王素琴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开实施例提供一种半导体晶片冷却方法和系统。冷却控制器从一个或多个传感器接收与晶片相关联的晶片信息。冷却控制器基于晶片信息确定晶片的图案掩模面积。冷却控制器基于图案掩模面积确定晶片的冷却时间。冷却控制器使冷却板冷却晶片的持续时间与冷却时间相等。基于图案掩模面积确定晶片的冷却时间为具有不同掩模及布局性质的晶片提供稳定且一致的晶片温度,此会减少掩模上覆变化并增大晶片良率。
搜索关键词: 半导体 晶片 冷却 方法 系统
【主权项】:
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