[发明专利]半导体晶片冷却方法和系统

权利要求书

1.一种半导体晶片冷却方法，包括：

由冷却控制器从一个或多个传感器接收与晶片相关联的晶片信息；

由所述冷却控制器基于所述晶片信息确定所述晶片的图案掩模面积；

由所述冷却控制器基于所述图案掩模面积及曝光工艺信息确定所述晶片的冷却时间；以及

由所述冷却控制器使冷却板冷却所述晶片的持续时间与所述冷却时间相等。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片冷却方法，其中所述晶片信息包括所述晶片的图像扫描；且

其中确定所述晶片的所述图案掩模面积包括：

基于所述图像扫描确定所述晶片的中心点；

基于所述中心点确定所述晶片的多个场边缘点；以及

基于所述多个场边缘点确定所述图案掩模面积。

3.根据权利要求2所述的半导体晶片冷却方法，其中所述多个场边缘点中的第一场边缘点与所述中心点之间的第一向量和所述多个场边缘点中的第二场边缘点与所述中心点之间的第二向量正交。

4.根据权利要求2所述的半导体晶片冷却方法，其中所述晶片的所述中心点是基于所述晶片的多个边缘点。

5.根据权利要求4所述的半导体晶片冷却方法，其中所述多个边缘点的数量不同于所述多个场边缘点的数量。

6.根据权利要求1所述的半导体晶片冷却方法，其中确定所述图案掩模面积包括：

基于与所述晶片相关联的所述晶片信息确定所述图案掩模面积。

7.根据权利要求1所述的半导体晶片冷却方法，其中确定所述冷却时间包括：

基于默认冷却时间确定所述冷却时间。

8.一种半导体晶片冷却方法，包括：

使用光刻胶对晶片批次中的每一晶片进行涂覆；

确定所述晶片批次的冷却时间；

基于所述冷却时间将所述晶片批次中的每一晶片冷却；

将所述晶片批次中的每一晶片暴露到辐射源，以将图案从光掩模转移到所述光刻胶；以及

对被转移到所述晶片批次中的每一晶片上的所述光刻胶的所述图案进行显影。

9.根据权利要求8所述的半导体晶片冷却方法，其中确定所述冷却时间包括：

基于从一个或多个传感器接收的与所述晶片相关联的晶片信息来确定所述晶片的图案掩模面积；

识别所述晶片的第一冷却时间；

基于所述图案掩模面积确定时间调整；

基于所述第一冷却时间及所述时间调整确定所述晶片的第二冷却时间；以及

使冷却板冷却所述晶片的持续时间与所述第二冷却时间相等。

10.一种半导体晶片冷却系统，包括：

一个或多个传感器，用于：

产生晶片的图像扫描，以及

将所述图像扫描提供到冷却控制器；

所述冷却控制器，用于：

基于所述图像扫描确定所述晶片的多个场边缘点，

基于所述多个场边缘点确定所述晶片的图案掩模面积，

基于所述图案掩模面积确定时间调整，

基于所述时间调整确定所述晶片的冷却时间，以及

基于所述冷却时间将信号提供到冷却板；以及

所述冷却板，基于所述信号使冷却所述晶片的持续时间与所述冷却时间相等。