[发明专利]基于半导电涂覆层的GIS自由金属微粒的抑制方法在审
| 申请号： | 202210299045.8 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114656859A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 高山;赵科;李洪涛;马径坦;杨景刚;刘建军;陈少波;徐阳;张照辉;李玉杰;孙蓉;刘咏飞;肖焓艳;庄添鑫 | 申请（专利权）人： | 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司;江苏省电力试验研究院有限公司 |
| 主分类号： | C09D163/02 | 分类号： | C09D163/02;C09D7/61;B05D1/02;B05D3/02;B05D5/00;B05D7/14;B05D7/24 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 邵斌 |
| 地址： | 211103 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了电器绝缘技术领域的一种基于半导电涂覆层的GIS自由金属微粒的抑制方法，包括在GIS外壳的内表面喷涂半导电涂覆液并进行烘干固化，形成能够抑制GIS外壳内自由金属微粒的半导电涂覆层。本发明一方面可避免GIS内表面没有绝缘层时自由金属微粒与GIS外壳的内表面裸金属直接接触发生传导带电，导致自由金属微粒带电在电场力作用下起跳，另一方面避免采用GIS表面覆绝缘材料时自由金属微粒与绝缘层以及SF |
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| 搜索关键词： | 基于 导电 覆层 gis 自由 金属 微粒 抑制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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