[发明专利]基于半导电涂覆层的GIS自由金属微粒的抑制方法在审
| 申请号： | 202210299045.8 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114656859A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 高山;赵科;李洪涛;马径坦;杨景刚;刘建军;陈少波;徐阳;张照辉;李玉杰;孙蓉;刘咏飞;肖焓艳;庄添鑫 | 申请（专利权）人： | 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司;江苏省电力试验研究院有限公司 |
| 主分类号： | C09D163/02 | 分类号： | C09D163/02;C09D7/61;B05D1/02;B05D3/02;B05D5/00;B05D7/14;B05D7/24 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 邵斌 |
| 地址： | 211103 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 导电 覆层 gis 自由 金属 微粒 抑制 方法 | ||
1.一种GIS自由金属微粒的抑制方法，其特征在于，包括：
在GIS外壳的内表面喷涂半导电涂覆液并进行烘干固化，形成能够抑制GIS外壳内自由金属微粒的半导电涂覆层。
2.根据权利要求1所述的GIS自由金属微粒的抑制方法，其特征在于，所述半导电涂覆液的制备方法，包括：将环氧清漆与纳米银涂布液按照10000:1的体积比混合，得到混合液；在混合液中按照混合液体积的1%添加蒸馏水并搅拌均匀。
3.根据权利要求1所述的GIS自由金属微粒的抑制方法，其特征在于，所述GIS外壳的内表面为裸金属，在喷涂前进行预处理，包括：对GIS外壳的内表面进行清洁、净化、表面粗糙化以及高温固化处理。
4.根据权利要求3所述的GIS自由金属微粒的抑制方法，其特征在于，所述高温固化处理，包括：先将预处理后的GIS外壳放入烘箱内加热烘干，设定烘箱最高温度为100℃，采用阶梯式升温50℃/h，烘箱内温度上升至100℃时保持恒温至设定的时间长度。
5.根据权利要求4所述的GIS自由金属微粒的抑制方法，其特征在于，所述设定的时间长度为50~70分钟。
6.根据权利要求1所述的GIS自由金属微粒的抑制方法，其特征在于，所述烘干固化，包括：将喷涂过半导电涂覆液的GIS外壳放入烘箱内烘干固化，固化时间为25~35分钟。
7.根据权利要求1所述的GIS自由金属微粒的抑制方法，其特征在于，所述半导电涂覆层位于GIS外壳内表面底部中心120°圆弧范围内。
8.根据权利要求1所述的GIS自由金属微粒的抑制方法，其特征在于，所述半导电涂覆层的厚度为20~30μm。
9.根据权利要求1所述的GIS自由金属微粒的抑制方法，其特征在于，所述半导电涂覆层的电阻率在106~108Ω·m之间。
10.一种气体绝缘组合电器，其特征在于，所述气体绝缘组合电器的GIS外壳采用权利要求1~9任一项所述的GIS自由金属微粒的抑制方法处理得到。
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