[发明专利]一种反射结构、发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202210299033.5 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114664993A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡家豪;方斌;林兓兓 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反射结构、发光二极管及其制造方法，DBR结构中分散由于弥散反射粒子，该弥散反射粒子的反射率至少大于DBR结构中反射率较小的反射率，并且至少分布在DBR结构中折射率较小的材料层中，也可以分布在DBR结构的每一材料层中。上述弥散反射粒子选自反射率较高的金属粒子，例如Al、Ag及Au中的任意一种或几种。由于弥散反射粒子本身具有高反射能力，在发光二极管发光射入DBR层中时，可直接反射入射光回到正面，减少光在DBR膜层中的散射和吸收的损耗，提升芯片的发光效率。另外，弥散反射粒子的粒径小于形成DBR结构的材料的粒径，配合离子源辅助镀膜，可将弥散反射粒子紧密嵌入DBR膜层的空隙中，提升膜层的致密性和膜层平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反射 结构 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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