[发明专利]一种反射结构、发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种用于发光二极管的反射结构，其特征在于，包括DBR结构以及分散在所述DBR结构中的弥散反射粒子，所述DBR结构包括交替叠置的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层的折射率不同，所述弥散反射粒子的反射率至少大于所述第一材料层的反射率和所述第二材料层的反射率中较小的反射率。

2.根据权利要求1所述的反射结构，其特征在于，所述弥散反射粒子在所述弥散反射粒子所在的材料层中的占比介于0.1％～10％。

3.根据权利要求1所述的反射结构，其特征在于，所述弥散反射粒子为金属粒子。

4.根据权利要求1或3所述的反射结构，其特征在于，所述弥散反射粒子包括Al、Ag及Au中的任意一种或几种。

5.根据权利要求1所述的反射结构，其特征在于，所述弥散反射粒子分散在所述第一材料层和所述第二材料层中折射率较小的材料层中的至少一层中。

6.根据权利要求1或5所述的反射结构，其特征在于，所述弥散反射粒子分散在至少一层所述第一材料层及至少一层所述第二材料层中。

7.根据权利要求1所述的反射结构，其特征在于，所述第一材料层的折射率小于所述第二材料层的折射率。

8.一种发光二极管，其特征在于，包括：

半导体层结构，所述半导体层结构包括第一半导体层、与所述第一半导体层的导电类型相反的第二半导体层，以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层，所述半导体层结构的正面为所述发光二极管的出光面；以及

反射结构，所述反射结构形成在于所述正面相对的所述半导体层结构的背面，其中所述反射结构包括DBR结构，以及分散在所述DBR结构中的弥散反射粒子，所述DBR结构包括交替叠置的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层的折射率不同，所述弥散反射粒子的反射率至少大于所述第一材料层的反射率和所述第二材料层的反射率中较小的反射率。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述弥散反射粒子在所述弥散反射粒子所在的材料层中的占比介于0.1％～10％。

10.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述弥散反射粒子为金属粒子。

11.根据权利要求8或10所述的发光二极管，其特征在于，所述弥散反射粒子包括Al、Ag及Au中的任意一种或几种。

12.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述弥散反射粒子分散在所述第一材料层和所述第二材料层中反射率较小的材料层中的至少一层中。

13.根据权利要求8或12所述的发光二极管，其特征在于，所述弥散反射粒子分散在至少一层所述第一材料层及至少一层所述第二材料层中。

14.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述第一材料层的折射率小于所述第二材料层的折射率。

15.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括电极结构，所述电极结构包括与所述第一半导体层电性连接的第一电极，以及与所述第二半导体层电性连接的第二电极。

16.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，还包括位于所述半导体层结构及所述反射结构之间的衬底。