[发明专利]基于E面多孔扩展耦合结构的多路波导功率合成器在审
| 申请号： | 202210285445.3 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114784476A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 刘云;谢林汐 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01P5/16 | 分类号： | H01P5/16 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 熊玉玮 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开基于E面多孔扩展耦合结构的多路波导功率合成器，属于微波元件的技术领域。该波导功率合成器由多路并行的波导以及波导间的耦合结构组成。多路并行的波导平行排列，其中，主路波导居中，主路波导一侧端口为输入端口，每一路耦合波导与输入端口同侧的端口接匹配负载，其余矩形波导沿主路波导两侧对称排布，所有波导的另一侧端口形成功率分配或功率合成端口。该波导功率合成器结构简单，易于加工，具有良好的通带特性、反射特性以及传输特性，适用于功率合成放大结构的使用。对该波导功率器件进行二级级联形成二维波导功率合成网络,大幅提高合路效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 多孔 扩展 耦合 结构 波导 功率 合成器 | ||
【主权项】：
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