[发明专利]基于E面多孔扩展耦合结构的多路波导功率合成器

权利要求书

1.基于E面多孔扩展耦合结构的多路波导功率合成器，其特征在于，包括主路波导、耦合波导及其多孔耦合结构，所述耦合波导以关于主路波导中心对称的方式沿着主路波导E面向外扩展，形成2N+1个波导平行耦合的结构，N为分布在主路波导一侧的耦合波导的数量，相邻两个波导之间连接有多孔耦合结构，各多孔耦合结构中的孔径的长度与任意波导的宽度相同，同一多孔耦合结构中的孔径的宽度随着耦合波导沿主路波导E面向外扩展而增加，同一多孔耦合结构中的孔径的间距随着耦合波导沿主路波导E面向外扩展而减小，所述主路波导的一侧端口为输入端口，与输入端口同侧的所有耦合波导端口插有尖劈负载，所有波导的另一侧端口为输出端口。

2.根据权利要求1所述基于E面多孔扩展耦合结构的多路波导功率合成器，其特征在于，所述多孔耦合结构关于主路波导中心对称，每个多孔耦合结构包括至少m个关于多孔耦合结构中心对称的孔径，其中m≥3。

3.根据权利要求1所述基于E面多孔扩展耦合结构的多路波导功率合成器，其特征在于，各输出端口贴有用于相位补偿的膜片。

4.二维波导功率合成网络，其特征在于，通过在E面堆叠N个权利要求1所述基于E面多孔扩展耦合结构的多路波导功率合成器形成具有（2N+1）²个输出端口的二维波导功率合成网络，各基于E面多孔扩展耦合结构的多路波导功率合成器的输入端口形成所述二维波导功率合成网络的输入端口。

5.根据权利要求4所述二维波导功率合成网络，其特征在于，所述二维波导功率合成网络的输入端口通过扭波导与一个一维多路波导功率合成器的输出端连接。