[发明专利]一种高电源抑制比、快速启动的带隙基准电路有效
| 申请号： | 202210257905.1 | 申请日： | 2022-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN114706444B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李威;董元涛;杜涛;罗和平 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种高电源抑制比、快速启动的带隙基准电路。本发明的带隙基准电路包括：预调节电路，用于提高电路电源噪声抑制比；使能电路，用于产生偏置电路和带隙基准核心电路的启动使能信号，通过正反馈电路结构加快整体电路的启动速度；偏置电路，用于为基准核心电路的放大器提供偏置电流，采用与电源无关的偏置结构；带隙基准核心电路，通过正负温度系数的电压补偿产生与温度无关的稳定电压。最后得到的带隙基准电路具有高电源抑制比、快速启动的优点，可为模拟集成电路设计提供稳定的基准电压，提高芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电源 抑制 快速 启动 基准 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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