[发明专利]一种晶圆加热装置有效
| 申请号： | 202210241532.9 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114678296B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 杨仕品;孙先淼;张洋 | 申请（专利权）人： | 苏州智程半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 苏州友佳知识产权代理事务所(普通合伙) 32351 | 代理人： | 储振 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆加热装置，包括：底座，底座设置加热组件，同轴套设于加热组件的密封组件，以及至少一个驱动组件；密封组件底部下边缘径向向内延伸形成连接部，加热组件周向延伸形成凸出部，驱动组件驱动连接部与凸出部相抵持，以密封所述密封组件与加热组件之间形成的加热区域。通过申请实现能够在进行密封的同时，达到重量轻，降低疲劳部件的维修频率，节省耗电量和节省空间的效果，并且能够对加热盘提供过热保护，防止晶圆受到过热影响导致损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加热 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
