[发明专利]一种晶圆加热装置有效
| 申请号: | 202210241532.9 | 申请日: | 2022-03-11 |
| 公开(公告)号: | CN114678296B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
| 发明(设计)人: | 杨仕品;孙先淼;张洋 | 申请(专利权)人: | 苏州智程半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 苏州友佳知识产权代理事务所(普通合伙) 32351 | 代理人: | 储振 |
| 地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 加热 装置 | ||
本发明提供了一种晶圆加热装置,包括:底座,底座设置加热组件,同轴套设于加热组件的密封组件,以及至少一个驱动组件;密封组件底部下边缘径向向内延伸形成连接部,加热组件周向延伸形成凸出部,驱动组件驱动连接部与凸出部相抵持,以密封所述密封组件与加热组件之间形成的加热区域。通过申请实现能够在进行密封的同时,达到重量轻,降低疲劳部件的维修频率,节省耗电量和节省空间的效果,并且能够对加热盘提供过热保护,防止晶圆受到过热影响导致损坏。
技术领域
本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种晶圆加热装置。
背景技术
晶圆加热装置用于承载并对晶圆进行加热烘烤,来去除晶圆上光刻胶中的溶剂,以提高粘附性,加热组件上方通常会设置密封机构来密封加热盘上表面空间,以防止热量流失。
公开号为CN112349626A的中国发明专利公开了“一种晶圆烘烤装置”,包括壳体和设置在壳体内的密封机构、加热器和顶出机构。该现有技术所揭示的避免了升降机构直接连接加热盘,但在进行密封时需要设计复杂的机械构造,导致重量较大,致使在长期使用中疲劳部件常常需要更换维修,并且耗电量大,设备占用空间大,也难以对加热盘提供过热保护,使晶圆受到过热影响导致损坏。
有鉴于此,有必要对现有技术中的晶圆等半导体器件进行加热的装置予以改进,以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于揭示一种晶圆加热装置,用于解决现有技术中的晶圆烘烤装置所存在的诸多缺陷,尤其是为了实现能够在进行密封的同时,达到重量轻,降低疲劳部件的维修频率,节省耗电量与节省空间的效果,并且能够对加热盘提供过热保护,防止晶圆受到过热影响导致损坏。
为实现上述目的,本发明提供了一种晶圆加热装置,包括:底座,所述底座设置加热组件,同轴套设于所述加热组件的密封组件,以及至少一个驱动组件;
所述密封组件底部下边缘径向向内延伸形成连接部,所述加热组件周向延伸形成凸出部,所述驱动组件驱动所述连接部与所述凸出部相抵持,以密封所述密封组件与加热组件之间形成的加热区域。
作为本发明的进一步改进,所述密封组件包括盖体,套设于所述加热组件的密封罩,所述盖体周向延伸形成与所述密封罩上边缘相抵持的抵持部,所述密封罩包括侧壁,所述侧壁底部下边缘径向向内延伸形成与所述凸出部相抵持的连接部。
作为本发明的进一步改进,所述加热组件包括侧边框,所述侧边框内部轴向依次设置加热盘与壳体,所述壳体与加热盘之间形成加热所述加热盘的加热区,所述加热盘设置若干吸附块,所述壳体内部围设形成中空腔,纵向贯穿所述壳体与所述加热区连接的加热导线,壳体外部设置与所述壳体底部连接的侧边框,所述侧边框周向延伸形成与密封罩的连接部相抵持的凸出部。
作为本发明的进一步改进,底座的顶部设置连接盖体的支撑块,底座的底部设置连接所述壳体的支撑柱,所述底座设置位于驱动组件外侧的光电感应组件;
所述光电感应组件包括支撑板,设置所述支撑板上的槽型光电传感器。
作为本发明的进一步改进,所述驱动组件顶端设置第一连接块,所述第一连接块靠近所述密封罩的一侧设置第二连接块,所述第二连接块远离第一连接块的一端设置与所述密封罩装配的环形叉杆,以承托所述密封罩。
作为本发明的进一步改进,所述第一连接块远离第二连接块的一侧设置检测块,所述检测块面向槽型光电传感器的一侧延伸形成位于槽型光电传感器内的凸片部,以检测所述密封罩位置。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
首先,通过驱动组件带动密封组件的连接部沿纵向方向向上运动,使连接部与加热组件的凸出部相抵持,从而能够实现对密封组件与加热组件之间形成的加热区域进行密封,并在进行密封的同时,达到密封组件重量轻,降低疲劳部件的维修频率,节省耗电量与节省空间的效果。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





