[发明专利]真空浸渍结合反应熔体浸渗制备SiCf有效

专利信息
申请号: 202210239625.8 申请日: 2022-03-11
公开(公告)号: CN114656275B 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 刘永胜;张冰慧;高雨晴;王晶;董宁;曹晔洁 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B38/00 分类号: C04B38/00;C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622;C04B41/85
代理公司: 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种真空浸渍结合反应熔体浸渗制备SiCf/Si‑Y‑B‑C复合材料的方法,用于提高复合材料的抗水氧腐蚀性能和自愈合性能领域。其技术特征在于步骤为多孔体制备、浆料配制、浆料浸渍、反应熔体渗透法引入Si‑Y合金。该方法可解决SiCf/Si‑Y‑B‑C复合材料制备过程周期长、工艺复杂的问题,并且提高SiCf/SiC复合材料的抗水氧腐蚀和自愈合性能。本发明为发展真空浸渍结合RMI法制备SiCf/Si‑Y‑B‑C复合材料提供了新思路和工艺方法。本发明采用真空浸渍将B4C浆料引入到多孔SiCf/SiC复合材料中,再采用反应熔体浸渗的工艺引入Si‑Y合金将材料致密化,制备出了SiCf/Si‑Y‑B‑C复合材料。该方法可解决SiCf/Si‑Y‑B‑C复合材料制备过程周期长、工艺复杂的问题,并且提高复合材料的抗水氧腐蚀和自愈合性能。
搜索关键词: 真空 浸渍 结合 反应 熔体浸渗 制备 sic base sub
【主权项】:
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