[发明专利]真空浸渍结合反应熔体浸渗制备SiCf 有效
申请号: | 202210239625.8 | 申请日: | 2022-03-11 |
公开(公告)号: | CN114656275B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 刘永胜;张冰慧;高雨晴;王晶;董宁;曹晔洁 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C04B38/00 | 分类号: | C04B38/00;C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622;C04B41/85 |
代理公司: | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 浸渍 结合 反应 熔体浸渗 制备 sic base sub | ||
本发明涉及一种真空浸渍结合反应熔体浸渗制备SiCsubgt;f/subgt;/Si‑Y‑B‑C复合材料的方法,用于提高复合材料的抗水氧腐蚀性能和自愈合性能领域。其技术特征在于步骤为多孔体制备、浆料配制、浆料浸渍、反应熔体渗透法引入Si‑Y合金。该方法可解决SiCsubgt;f/subgt;/Si‑Y‑B‑C复合材料制备过程周期长、工艺复杂的问题,并且提高SiCsubgt;f/subgt;/SiC复合材料的抗水氧腐蚀和自愈合性能。本发明为发展真空浸渍结合RMI法制备SiCsubgt;f/subgt;/Si‑Y‑B‑C复合材料提供了新思路和工艺方法。本发明采用真空浸渍将Bsubgt;4/subgt;C浆料引入到多孔SiCsubgt;f/subgt;/SiC复合材料中,再采用反应熔体浸渗的工艺引入Si‑Y合金将材料致密化,制备出了SiCsubgt;f/subgt;/Si‑Y‑B‑C复合材料。该方法可解决SiCsubgt;f/subgt;/Si‑Y‑B‑C复合材料制备过程周期长、工艺复杂的问题,并且提高复合材料的抗水氧腐蚀和自愈合性能。
技术领域
本发明属于复合材料领域,涉及一种真空浸渍结合反应熔体浸渗制备SiCf/Si-Y-B-C复合材料的方法,其主要应用于提高碳化硅纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料(SiCf/SiC)的抗水氧腐蚀和自愈合性能领域。
背景技术
SiCf/SiC复合材料具有低密度、高比强度、高比模量、耐高温、抗氧化、耐磨、耐腐蚀等优异性能,并且克服了陶瓷固有的韧性差的缺陷,现已成为高推重比发动机首选的高温轻质结构材料。
高性能航空发动机工作条件严苛,对材料的抗水氧腐蚀性能提出了更高的需求。在高温水腐蚀环境中,SiCf/SiC复合材料中SiC基体及SiC纤维易与H2O反应生成SiO(OH)2和Si(OH)4等挥发性物质,而常用的BN界面易与H2O反应生成H3BO3等挥发性物质,导致复合材料快速失效,无法满足高性能航空发动机长寿命使用要求。因此SiCf/SiC复合材料高温抗水腐蚀性能较差是限制该材料使用寿命的瓶颈问题。
目前,为提高SiCf/SiC的抗水腐蚀性能,可以从制备EBC涂层、界面改性、基体改性等角度作为切入点。EBC涂层存在与基底热膨胀系数不配、界面结合较差、不耐机械剥蚀、高温不稳定等问题,容易从基底表面脱落;而界面改性法存在物相分布不均、结合力弱、工艺过程复杂,制备周期较长等问题。相对而言,基体改性法具有制备温度低、引入改性相的质量分数高且分布均匀,容易进行规模化生产等优势。
文献1“Liu Y,Zhang L,Cheng L,et al.Preparation and oxidationresistance of 2D C/SiC composites modified by partial boron carbide self-sealing matrix.Materials enceEngineering A.2008,498(1-2):430-436.”Liu等人采用CVI工艺在C/SiC复合材料中引入SiC-BxC多层基体,使其在低温氧化生成自愈合相B2O3,在700~1200℃愈合基体微裂纹,保护界面和纤维不被氧化。
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