[发明专利]一种高压低损陶瓷电容器介质及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210239179.0 申请日: 2022-03-11
公开(公告)号: CN114591079B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 彭道华;陈映义;牛继恩;陈甲天;姜学文 申请(专利权)人: 汕头市瑞升电子有限公司
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;C04B35/622;C04B35/626;C04B41/88;H01G4/12
代理公司: 汕头市潮睿专利事务有限公司 44230 代理人: 林天普;朱明华
地址: 515000 广东省汕头市金*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种高压低损陶瓷电容器介质,其特征在于由下述重量配比的原料制成:BaZrO3 5‑7%,CeO2 0.5‑0.7%,ZnO 0.8‑1.2%,MnCO3 0.3‑0.5%,La2O3 1.5‑2.5%,W2O3 0.8‑1.2%,余量为BaTiO3。本发明还提供上述高压低损陶瓷电容器介质的一种制备方法。本发明与现有技术相比,具有如下优点:本发明的陶瓷电容器介质的介电常数高(介电常数为3400以上),耐电压高(直流耐电压可达7kV/mm以上,交流耐压可达5kV/mm以上),介质损耗小(介质损耗小于0.8%)。本发明的陶瓷电容器介质适合于制造满足Y5P特性要求的陶瓷电容器。而且,本发明的陶瓷电容器介质不含铋、铅和镉,在制备和使用过程中对环境无污染。
搜索关键词: 一种 压低 陶瓷 电容器 介质 及其 制备 方法
【主权项】:
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