[发明专利]弹坑检测方法在审

专利信息
申请号: 202210228113.1 申请日: 2022-03-10
公开(公告)号: CN114858818A 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 唐宏浩;郑泽东;陈霏;周福鸣;和巍巍;汪之涵 申请(专利权)人: 深圳基本半导体有限公司
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95;G01N1/32;G01N1/34;H01L21/66
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人: 曾柳燕
地址: 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供一种弹坑检测方法,所述弹坑检测方法包括:制备饱和碱溶液,将完成键合后的芯片浸泡在饱和碱溶液中预设时间,取出浸泡在所述饱和碱溶液中的芯片,对芯片进行清洗,并在显微镜下进行观察;观察清洗后的芯片,并确认清洗后的芯片是否存在弹坑。采用本申请的实施例,可以检测芯片键合中的弹坑,检测步骤简单,检测效果好。
搜索关键词: 弹坑 检测 方法
【主权项】:
暂无信息
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