[发明专利]弹坑检测方法

权利要求书

1.一种弹坑检测方法，其特征在于，所述弹坑检测方法包括：

制备饱和碱溶液；

将完成键合后的芯片浸泡在所述饱和碱溶液中预设时间；

取出浸泡在所述饱和碱溶液中的所述芯片，对所述芯片进行清洗，并在显微镜下进行观察；

观察清洗后的所述芯片，并确认清洗后的所述芯片是否存在弹坑。

2.根据权利要求1所述的弹坑检测方法，其特征在于，所述弹坑检测方法还包括：

使用探针或者小刀具轻刮所述芯片表面；

若所述芯片表面有刮痕，所述芯片的铝层没有被完全去除，将所述芯片重新浸泡在所述饱和碱溶液，直到所述铝层被完全去除。

3.根据权利要求2所述的弹坑检测方法，其特征在于，所述弹坑检测方法还包括：

当所述铝层被完全去除后，使用探针或者小刀具轻划所述芯片的硅层；

若所述硅层上有弹坑，则确认所述芯片的键合工艺不合格，调整所述芯片的键合工艺参数。

4.根据权利要求3所述的弹坑检测方法，其特征在于，

若所述硅层的表面光滑且无坑印，则确认所述芯片的键合工艺合格。

5.根据权利要求4所述的弹坑检测方法，其特征在于，

若所述硅层上有轻微坑印，使用探针或者小刀具轻划所述芯片的硅层；若所述硅层上没有弹坑，则确认所述芯片的键合工艺合格。

6.根据权利要求1所述的弹坑检测方法，其特征在于，

所述预设时间为30分钟。

7.根据权利要求1所述的弹坑检测方法，其特征在于，所述弹坑检测方法还包括：

使用酒精将所述芯片清洗干净后晒干，并在显微镜下进行观察。

8.根据权利要求1所述的弹坑检测方法，其特征在于，所述弹坑检测方法还包括：

所述饱和碱溶液为饱和氢氧化钠溶液。

9.根据权利要求1所述的弹坑检测方法，其特征在于，所述制备饱和碱溶液包括：

将固态氢氧化钠倒入盛有水的烧杯中以得到氢氧化钠溶液，使用玻璃棒对所述烧杯中的所述氢氧化钠溶液进行搅拌。

10.根据权利要求9所述的弹坑检测方法，其特征在于，所述制备饱和碱溶液包括：

对所述烧杯中的所述氢氧化钠溶液进行搅拌时，添加所述固态氢氧化钠至所述烧杯中，直到所述烧杯中的所述氢氧化钠溶液有晶体析出。