[发明专利]ITO透明导电层蚀刻方法和LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202210204898.9 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN114649457A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 杨建国;卜浩礼;杨东;杨天鹏;陈向东;郗萌;邹浩洪;周荣;康建 | 申请（专利权）人： | 江西圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 李兴福;臧建明 |
| 地址： | 337000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种ITO透明导电层蚀刻方法和LED芯片及其制作方法，ITO透明导电层蚀刻方法包括：在ITO透明导电层上设置光刻胶层，对光刻胶层进行光刻，以露出ITO透明导电层的待蚀刻区域；对待蚀刻区域进行等离子清洁处理后，进行n次蚀刻(ITO蚀刻)，n为等于或大于2的整数；其中，按照从第1次蚀刻至第n次蚀刻的顺序，所用的蚀刻液浓度、蚀刻时间均逐次降低，本发明能够较为彻底地蚀刻掉ITO透明导电层需要蚀刻的区域的ITO，并易于控制蚀刻角度，提高LED芯片的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | ito 透明 导电 蚀刻 方法 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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