[发明专利]ITO透明导电层蚀刻方法和LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，包括：

在ITO透明导电层上设置光刻胶层，对所述光刻胶层进行光刻，以露出所述ITO透明导电层的待蚀刻区域；

对所述待蚀刻区域进行等离子清洁处理后，进行n次蚀刻，n为等于或大于2的整数；其中，按照从第1次蚀刻至第n次蚀刻的顺序，所用的蚀刻液浓度、蚀刻时间均逐次降低。

2.根据权利要求1所述的ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，所述n次蚀刻的过程中，每次蚀刻所用的蚀刻液温度相同。

3.根据权利要求1或2所述的ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻的温度为30℃～80℃。

4.根据权利要求1所述的ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，

所述第1次蚀刻时所用的蚀刻液浓度为10^-6mol/L～10^-4mol/L；和/或，

所述第1次蚀刻的蚀刻时间为20s～500s。

5.根据权利要求1或4所述的ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，

所述n次蚀刻过程中，任意相邻的两次蚀刻，后一次蚀刻所用的蚀刻液浓度是前一次蚀刻所用的蚀刻液浓度的0.5-0.7倍；和/或，

所述n次蚀刻过程中，任意相邻的两次蚀刻，后一次蚀刻的蚀刻时间是前一次蚀刻的蚀刻时间的0.6-0.9倍。

6.根据权利要求1所述的ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，所述n次蚀刻的过程中，每次蚀刻结束后，用水洗去蚀刻液，然后用氮气吹干，再进行下一次蚀刻，直至第n次蚀刻结束后，用水洗去蚀刻液，然后甩干，再除去ITO透明导电层上剩余的光刻胶层，即完成所述ITO透明导电层的蚀刻。

7.根据权利要求6所述的ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，在第1次蚀刻至第n次蚀刻之间，所述用水洗去蚀刻液的过程的时间为1min～3min；在第n次蚀刻结束后，所述用水洗去蚀刻液的过程的时间为6min～15min。

8.根据权利要求1所述的ITO透明导电层蚀刻方法，其特征在于，所述等离子清洁处理在氧气、甲烷、氩气、氢气中的至少一种的气体氛围下进行；和/或，

采用等离子清洗机进行所述等离子清洁处理，所述等离子清洗机的射频功率为10w～800w；和/或，

所述等离子清洁处理的时间为30s～600s。

9.一种LED芯片制作方法，其特征在于，包括：采用权利要求1-8任一项所述的ITO透明导电层蚀刻方法对ITO透明导电层进行蚀刻。

10.一种LED芯片，其特征在于，按照权利要求9所述的LED芯片制作方法制得。