[发明专利]一种SiC MOSFET仿真建模方法及系统在审
| 申请号： | 202210173729.3 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114564906A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李青平;郝一;李卫国;徐云飞;卢娟娟;卜宪德 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F111/10 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 王娜 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC MOSFET仿真建模方法及系统，方法包括：采用等效电路建模方法构建SiC MOSFET器件的动静态模型原理图；根据测试数据中的转移特性和输出特性，对压控电流源参数进行拟合提取；根据测试数据中电容‑漏源电压特性，对电容参数进行拟合提取；根据测试数据中体二极管特性，对体二极管参数进行拟合提取；对进行参数拟合提取后的动静态模型进行仿真测试，并根据仿真测试结果，判断当前模型拟合度是否符合要求，若不符合要求，则返回“根据器件测试数据中的转移特性和输出特性，对压控电流源参数进行拟合提取”的步骤，直至仿真测试结果符合要求为止，从而针对SiC MOSFET特性构建较为准确的仿真模型，来描述器件物理特性，指导高压SiC MOSFET在工程中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 仿真 建模 方法 系统 | ||
【主权项】：
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